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摘要： 单晶硅材料可以用于制造太阳能电池、半导体器件等，由于其应用领域的特殊性要求其纯度达到99.9999% 甚至更高。在单晶硅生产过程中由原料及方法等因素难以避免的引入了碳、氧等杂质，直接影响了单晶硅的性能。因而需对单晶硅材料中的氧碳含量进行控制。依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006，红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词： 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 点击查看相关产品：FTIR-650傅里叶变换红外光谱仪· 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收，根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 · 实验条件仪器及附件： FTIR-650 傅里叶变换红外光谱仪； 氧碳测试附件 硅中氧碳测试支架； 测试条件： 分辨率： 2cm -1 扫描次数： 64次&...